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磁気保護されたSMDチップインダクタとフェライトビーズ,EMI/RFIフィルタリングのための1μH100μHインダクタンス

磁気保護されたSMDチップインダクタとフェライトビーズ,EMI/RFIフィルタリングのための1μH100μHインダクタンス

MOQ: 5000
パッケージサイズ 0402 / 0603 / 0805 / 1008 / 1206
インダクタンス範囲 1μH~100μH
許容範囲 ±20%
試験条件 100kHz、0.1Vrms
動作温度 -40℃~+105℃
低プロフィールSMDインダクタ 1〜1,200nHインダクタンスとコンパクトPCBレイアウトのための大きな電流容量

低プロフィールSMDインダクタ 1〜1,200nHインダクタンスとコンパクトPCBレイアウトのための大きな電流容量

MOQ: 5000
インダクタンス範囲 1~1,200nH
現在の能力 大きい
プロファイル設計 控えめ
動作温度 -20 85°Cに
絶縁抵抗 >100 mΩ
形成された高い現在のSMDの破片力誘導器100uHインダクタンス

形成された高い現在のSMDの破片力誘導器100uHインダクタンス

価格: 交渉可能 MOQ: 交渉
働く頻度 高周波
サイズ 2.5*2.0*1.8mm
インダクタンス 10nHへの100uH
タイプ SMDの破片誘導器
実用温度 -40℃への+105℃
GPSの受信機RF SMDワイヤー傷の陶磁器の破片誘導器

GPSの受信機RF SMDワイヤー傷の陶磁器の破片誘導器

価格: 交渉可能 MOQ: 交渉
働く頻度 高周波
サイズ 0402/0603/0805/1008/1210/1812
マグネタイザーの構造 RFモジュール/プロダクト
タイプ SMDワイヤーは陶磁器の破片誘導器を傷つける
起源の場所 中国
SMDの保護されていない陶磁器の基礎亜鉄酸塩DRの破片誘導器

SMDの保護されていない陶磁器の基礎亜鉄酸塩DRの破片誘導器

価格: 交渉可能 MOQ: 5000pcs
保護 いいえ
基材 陶磁器の基盤
中心 亜鉄酸塩DR/RIの中心
パッキング 巻き枠
保管温度 -40 +125℃に
抵抗10mHの退潮はんだ付けする破片誘導器を熱しなさい

抵抗10mHの退潮はんだ付けする破片誘導器を熱しなさい

価格: 交渉可能 MOQ: 5000pcs
インダクタンス 1uHへの10mH
基材 陶磁器の基盤
中心 亜鉄酸塩DR/RIの中心
パッキング 巻き枠
保管温度 -40 +125℃に
傷によって形成されるSMDの破片誘導器、フェライト磁心誘導器表面の台紙

傷によって形成されるSMDの破片誘導器、フェライト磁心誘導器表面の台紙

価格: 交渉可能 MOQ: 交渉
働く頻度 高周波
寸法 2.5*2.0*1.8mm
マグネタイザーの構造 亜鉄酸塩のコイル
インダクタンス 10nHへの100uH
タイプ SMD の破片誘導器
薄型のフェライト・ビーズ誘導器は構造の優秀な機械強さを形成しました

薄型のフェライト・ビーズ誘導器は構造の優秀な機械強さを形成しました

価格: 交渉可能 MOQ: 交渉
働く頻度 高周波
寸法 3.2*2.2*2.5mm
インダクタンス 120nHへの470uH
タイプ SMD の破片誘導器
動作温度 -40℃への+105℃
表面の台紙ワイヤー傷の破片の誘導器によってカスタマイズされるインダクタンス優秀なSRF

表面の台紙ワイヤー傷の破片の誘導器によってカスタマイズされるインダクタンス優秀なSRF

価格: 交渉可能 MOQ: 交渉
働く頻度 高周波
サイズ 0402/0603/0805/1008/1210/1812
マグネタイザーの構造 陶磁器または亜鉄酸塩
インダクタンス カスタマイズされた
タイプ SMTの破片誘導器
フェライト・ビーズの高い自己頻度の多層破片誘導器は共鳴します

フェライト・ビーズの高い自己頻度の多層破片誘導器は共鳴します

価格: 交渉可能 MOQ: 交渉
インストール 表面実装
サイズ 3.2*2.5*1.3mm
アプリケーション 携帯用装置
インダクタンス 47nHへの18uH
タイプ SMD の破片誘導器
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