IGBTのためのゲート ドライブ変圧器、高周波変圧器
excebehavior、また安全なガルバニック分離のbetweerの電圧側面を保障するIGBTの必要性のためのゲートのdirveの変圧器
回転比率: 1:1.2:1.2
インダクタンス: 1.4mH Typ.@100KHz
漏出インダクタンス: 0.3uH Ref@100KHz
連結キャパシタンス: 秒への12pF Pri
力: 3W
特徴:
適用:
米国について:
Shinhom企業はほぼ20年間の設計及び製造の変圧器及びコイルの部品の経験の西安中国で創設された。
良質、安価および最もよいサービスは私達最も追求何である!
その間、SGSシステムによるISO 9001の証明はまた得られた。
Shinhomは専門家に高性能変圧器、力誘導器、世界中の購入者のためのチョーク コイルの電源を設計し、製造することに残ることである。
